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光刻機(jī)

來(lái)源： | 發(fā)布時(shí)間：2021-10-30 |

什么是光刻機(jī)

光刻機(jī)(紫外曝光機(jī))（Mask Aligner) 又被稱為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光刻） 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過(guò)程。

光刻機(jī)用途

 主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn)，找平力小、使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

光刻機(jī)分類

光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種，手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)。
A 手動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過(guò)手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來(lái)完成對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了；
B 半自動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)可以通過(guò)電動(dòng)軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧；
C 自動(dòng)： 指的是 從基板的上載下載，曝光時(shí)長(zhǎng)和循環(huán)都是通過(guò)程序控制，自動(dòng)光刻機(jī)主要是滿足工廠對(duì)于處理量的需要，恩科優(yōu)的NXQ8000系列可以一個(gè)小時(shí)處理幾百片wafer。

單面光刻機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)

1、適用于4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對(duì)應(yīng)的版夾盤，□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調(diào)密著真空度，能實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時(shí)間0～9999.9秒可調(diào)。
5、具有預(yù)定位靠尺：利用基片切邊進(jìn)行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺(tái)，利用曝光時(shí)間，進(jìn)行卸片、上片工作。

雙面光刻機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)

雙面對(duì)準(zhǔn)，單面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
雙面對(duì)準(zhǔn)，雙面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）

1、適用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對(duì)應(yīng)的版夾盤，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調(diào)密著真空度，能實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時(shí)間0～9999.9秒可調(diào)。
5、具有預(yù)定位靠尺：利用基片切邊進(jìn)行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺(tái)，利用曝光時(shí)間，進(jìn)行卸片、上片工作。

光刻機(jī)紫外光源

曝光系統(tǒng)最核心的部件之一是紫外光源。
常見(jiàn)光源分為:
紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準(zhǔn)分子激光：248 nm, ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

對(duì)光源系統(tǒng)的要求

a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)。波長(zhǎng)越短，可曝光的特征尺寸就越??；[波長(zhǎng)越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對(duì)于精度控制要求越高，因?yàn)檠苌洮F(xiàn)象會(huì)更嚴(yán)重。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時(shí)間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來(lái)衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過(guò)濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光光源，可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光（248 nm）、ArF 準(zhǔn)分子激光（193 nm）和F2準(zhǔn)分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。

光刻機(jī)生產(chǎn)廠家供應(yīng)信息

廠家名稱：成都新德南光機(jī)械設(shè)備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區(qū)逸都路29號(hào).
廠家聯(lián)系人：文寬.
廠家聯(lián)系電話：13540650355。
該廠家位于四川成都，多地有駐外辦事處，可面向全國(guó)各個(gè)企業(yè)提供光刻機(jī)相關(guān)產(chǎn)品的定制和維修。

m, ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

對(duì)光源系統(tǒng)的要求

a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)。波長(zhǎng)越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長(zhǎng)越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對(duì)于精度控制要求越高，因?yàn)檠苌洮F(xiàn)象會(huì)更嚴(yán)重。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時(shí)間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來(lái)衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過(guò)濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光光源，可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光（248 nm）、ArF 準(zhǔn)分子激光（193 nm）和F2準(zhǔn)分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。

光刻機(jī)生產(chǎn)廠家供應(yīng)信息

廠家名稱：成都新德南光機(jī)械設(shè)備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區(qū)逸都路29號(hào).
廠家聯(lián)系人：文寬.
廠家聯(lián)系電話：13540650355。
該廠家位于四川成都，多地有駐外辦事處，可面向全國(guó)各個(gè)企業(yè)提供光刻機(jī)相關(guān)產(chǎn)品的定制和維修。